MPS5179RLRAG参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPS5179RLRAG概述

高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon

RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 200W Through Hole TO-92-3

得捷:
RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

艾睿:
Trans GP BJT NPN 12V 0.05A 200000mW 3-Pin TO-92 T/R

MPS5179RLRAG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 25 @3mA, 1V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MPS5179RLRAG

型号： MPS5179RLRAG

描述：高频晶体管NPN硅 High Frequency Transistor NPN Silicon

替代型号MPS5179RLRAG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MPS5179RLRAG ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MPS5179G 安森美	类似代替	MPS5179RLRAG和MPS5179G的区别
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