MUN5116T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5116T1G概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）

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MUN5116T1G

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TRANS PREBIAS PNP 50V SC70-3

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双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R

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TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

MUN5116T1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 202 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

长度 2.1 mm

宽度 1.24 mm

高度 0.85 mm

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5116T1G

型号： MUN5116T1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

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