MUN5236T1G

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MUN5236T1G概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 SOT323


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MUN5236T1G


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3


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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R


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Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUN5236T1G  Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 Ratio, SC-70


MUN5236T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 0.31 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 202 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-70-3

外形尺寸

封装 SC-70-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5236T1G
型号: MUN5236T1G
描述:偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
替代型号MUN5236T1G
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MUN5236T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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恩智浦

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