SC-70 NPN 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 SOT323
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MUN5241T1G
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TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70 T/R
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
封装 SC-70-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5241T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMUN2236LT1G 安森美 | 功能相似 | MUN5241T1G和MMUN2236LT1G的区别 |
PDTC115EEF,115 恩智浦 | 功能相似 | MUN5241T1G和PDTC115EEF,115的区别 |