偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 202 mW 表面贴装型 SC-70-3（SOT323）
得捷:
MUN5234 - NPN BIPOLAR DIGITAL TR
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-70 T/R
Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MUN5234T1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, 0.47 Ratio, SC-70
Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 0.31 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-70-3
封装 SC-70-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5234T1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5234T1 安森美 | 类似代替 | MUN5234T1G和MUN5234T1的区别 |
MUN5113DW1T1 摩托罗拉 | 功能相似 | MUN5234T1G和MUN5113DW1T1的区别 |
MUN5114DW1T1 摩托罗拉 | 功能相似 | MUN5234T1G和MUN5114DW1T1的区别 |