MMBT2484LT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBT2484LT3G概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS LN XSTR NPN 60V

Bipolar BJT Transistor NPN 60V 100mA 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236

得捷:
TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

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MMBT2484LT3G

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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS LN XSTR NPN 60V

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Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

MMBT2484LT3G中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

集电极击穿电压 60.0 V

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT2484LT3G

型号： MMBT2484LT3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SS LN XSTR NPN 60V

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替代型号MMBT2484LT3G

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