双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Dual PNP Bipolar Transistor
Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT Dual PNP Bipolar Transistor
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
频率 250 MHz
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 150 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
封装 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MBT3906DW1T2G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MBT3906DW1T1G 安森美 | 功能相似 | MBT3906DW1T2G和MBT3906DW1T1G的区别 |
MMDT3906-7-F 美台 | 功能相似 | MBT3906DW1T2G和MMDT3906-7-F的区别 |
MMDT3906-TP 美微科 | 功能相似 | MBT3906DW1T2G和MMDT3906-TP的区别 |