MPSA92RL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MPSA92RL1G概述

高电压晶体管 High Voltage Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 300V 0.5A TO-92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 300V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin TO-92 T/R

Win Source:
High Voltage Transistors

MPSA92RL1G中文资料参数规格

技术参数

频率 50 MHz

额定电压DC -300 V

额定电流 -500 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

增益频宽积 50 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 25 @30mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA92RL1G

型号： MPSA92RL1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高电压晶体管 High Voltage Transistors

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替代型号MPSA92RL1G

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