MMBTA70LT1G概述
通用晶体管 General Purpose Transistor
Bipolar BJT Transistor PNP 40V 100mA 125MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
得捷:
TRANS PNP 40V 0.1A SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 40V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 40V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MMBTA70LT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 225 mW
增益频宽积 125 MHz
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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