MUN5312DW1T2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN5312DW1T2G概述

MUN5312DW1: 互补双极数字晶体管 BRT

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） 50V 100mA - 385mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363

立创商城:
MUN5312DW1T2G

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

MUN5312DW1T2G中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 60 @5mA, 10V

额定功率Max 385 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5312DW1T2G

型号： MUN5312DW1T2G

描述：MUN5312DW1: 互补双极数字晶体管 BRT

替代型号MUN5312DW1T2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MUN5312DW1T2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MUN5312DW1T2 安森美	类似代替	MUN5312DW1T2G和MUN5312DW1T2的区别
MUN5312DW1T1G 安森美	功能相似	MUN5312DW1T2G和MUN5312DW1T1G的区别
MUN5312DW1T1 安森美	功能相似	MUN5312DW1T2G和MUN5312DW1T1的区别