MPSA77_D75Z

MPSA77_D75Z图片1
MPSA77_D75Z图片2
MPSA77_D75Z图片3
MPSA77_D75Z图片4
MPSA77_D75Z图片5
MPSA77_D75Z中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.2A

最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 100MHz Min

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSA77_D75Z
型号: MPSA77_D75Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:达林顿晶体管 PNP Darl Transistor
替代型号MPSA77_D75Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MPSA77_D75Z

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MPSA77

飞兆/仙童

完全替代

MPSA77_D75Z和MPSA77的区别

MPSA77_D26Z

飞兆/仙童

完全替代

MPSA77_D75Z和MPSA77_D26Z的区别

MPSA77_D74Z

飞兆/仙童

完全替代

MPSA77_D75Z和MPSA77_D74Z的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司