驱动晶体管（ PNP硅） Driver TransistorsPNP Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -80V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −80V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A
截止频率fTTranstion FrequencyfT| 50MHz
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100
管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V
耗散功率PcPoWer Dissipation| 225mW/0.225W
Description & Applications| Driver PNP Silicon Transistors Features • Pb−Free Package is Available
描述与应用| 驱动PNP硅 特点 •无铅包装是可用
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBTA56LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA56LT1G 安森美 | 完全替代 | MMBTA56LT1和MMBTA56LT1G的区别 |
MMBTA56LT3G 安森美 | 类似代替 | MMBTA56LT1和MMBTA56LT3G的区别 |
MMBTA05 安森美 | 类似代替 | MMBTA56LT1和MMBTA05的区别 |