MR852G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MR852G概述

ON SEMICONDUCTOR MR852G 标准恢复二极管, 单, 200 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 A

整流器，2A 至 3A，

### 标准

带 NSV- 或 SUR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。

得捷:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

立创商城:
200V 3A 100ns

欧时:
### 整流器二极管，2A 至 3A，ON Semiconductor### 标准Products with NSV- or S-prefixed Manufacturer Part Nos are AEC-Q101 automotive qualified.### 二极管和整流器，ON Semiconductor

贸泽:
Rectifiers 200V 3A Fast

艾睿:
Rectifier Diode Switching 200V 3A 300ns 2-Pin Case 267-03 Box

安富利:
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case 267-03 Box

富昌:
MR852G 系列 3 A 200 V 轴向引线快速恢复整流器 - DO-201AD

Chip1Stop:
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case 267-03 Box

Verical:
Diode Switching 200V 3A 2-Pin Case 267-03 Box

Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MR852G Standard Recovery Diode, 200 V, 3 A, Single, 1.25 V, 200 ns, 100 A

MR852G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤3.00 A

针脚数 2

正向电压 1.25 V

极性 Standard

热阻 28℃/W RθJA

反向恢复时间 300 ns

最大反向击穿电压 200 V

正向电流 3 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 100 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 3 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.65 mm

宽度 5.33 mm

高度 9.5 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用射频通信, 电源管理, 工业, RF Communications, Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MR852G

型号： MR852G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MR852G 标准恢复二极管, 单, 200 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 A

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