MURD620CTT4G

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MURD620CTT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MURD620CTT4G  快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 6 A, 1.13 V, 35 ns, 50 A

整流器,4A 至 9A,

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


欧时:
### 整流器二极管,4A 至 9A,ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


立创商城:
MURD620CTT4G


得捷:
DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MURD620CTT4G.  二极管, 快速恢复型, 6A, TO-252, 整卷


艾睿:
Converting from AC to DC is simple when using a switching diode MURD620CTT4G rectifier from ON Semiconductor. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. It is made in a dual common cathode configuration. Its peak non-repetitive surge current is 50 A, while its maximum continuous forward current is 6 A. This rectifier has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 175 °C.


Allied Electronics:
6A 200V Ultrafast Rect, MURD620CTT4G


安富利:
Diode Switching 200V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Rectifier Diode Switching 200V 6A 35ns 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MURD620CTT4G  Fast / Ultrafast Diode, 200 V, 6 A, Dual Common Cathode, 1.13 V, 35 ns, 50 A


Win Source:
DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK


MURD620CTT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 6.00 A

无卤素状态 Halogen Free

正向电压 1V @3A

反向恢复时间 35 ns

正向电流 6 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 50 A

正向电压Max 1.13 V

正向电流Max 6 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MURD620CTT4G引脚图与封装图
MURD620CTT4G引脚图
MURD620CTT4G封装焊盘图
在线购买MURD620CTT4G
型号: MURD620CTT4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MURD620CTT4G  快速/超快二极管, 双共阴极, 200 V, 6 A, 1.13 V, 35 ns, 50 A
替代型号MURD620CTT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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