达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors
The NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, convertors and power amplifiers.
Features
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额定电压DC 80.0 V
额定电流 4.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 500 @2A, 4V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 2500
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD6039T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD6039T4 安森美 | 完全替代 | MJD6039T4G和MJD6039T4的区别 |
2SD1223Q 东芝 | 功能相似 | MJD6039T4G和2SD1223Q的区别 |
2SD1223LBSTA1 东芝 | 功能相似 | MJD6039T4G和2SD1223LBSTA1的区别 |