MJD6039T4G

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MJD6039T4G概述

达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors

The NPN Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, convertors and power amplifiers.

Features

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Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves No Suffix
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Straight Lead Version in Plastic Sleeves "-1" Suffix
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Available on 16 mm Tape and Reel for Automatic Handling "T4" Suffix
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Monolithic Construction With Built-in Base-Emitter Shunt Resistors
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High DC Current Gain -hFE = 2500 Typ @ IC = 4.0 Adc
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NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
.
PbFree Package is Available
MJD6039T4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 500 @2A, 4V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 2500

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD6039T4G
型号: MJD6039T4G
描述:达林顿功率晶体管 Darlington Power Transistors
替代型号MJD6039T4G
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MJD6039T4G

ON Semiconductor 安森美

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MJD6039T4

安森美

完全替代

MJD6039T4G和MJD6039T4的区别

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