MJD112RLG

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MJD112RLG概述

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

- 双极 BJT - 单 NPN - 达林顿 25MHz 表面贴装型 DPAK


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


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2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


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Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD112RLG  Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 12000 hFE


Win Source:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


DeviceMart:
TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK


MJD112RLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 20 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 12000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD112RLG
型号: MJD112RLG
描述:互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
替代型号MJD112RLG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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