PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
PNP 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor MJD45H11T4G , PNP 晶体管, 8 A, Vce=80 V, HFE:40, 90 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
得捷:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
立创商城:
8 A,80 V,PNP 双极功率晶体管
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJD45H11T4G PNP Bipolar Transistor; 8 A; 80 V; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 16A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD45H11T4G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -80 V, 90 MHz, 20 W, -8 A, 60 hFE
Win Source:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
DeviceMart:
TRANS PWR PNP 8A 80V DPAK
频率 90 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.75 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 车用, Signal Processing, Automotive, 信号处理, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD45H11T4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD45H11RL 安森美 | 完全替代 | MJD45H11T4G和MJD45H11RL的区别 |
MJD45H11G 安森美 | 类似代替 | MJD45H11T4G和MJD45H11G的区别 |
MJD45H11RLG 安森美 | 类似代替 | MJD45H11T4G和MJD45H11RLG的区别 |