











ON SEMICONDUCTOR MJE171G 晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新
- 双极 BJT - 单 PNP 60 V 3 A 50MHz 1.5 W 通孔 TO-126
得捷:
TRANS PNP 60V 3A TO126
立创商城:
MJE171G
e络盟:
晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Allied Electronics:
Transistor; PNP; 60 VDC; 80 VDC; 7 VDC; 3 Adc; 1 Adc; 105 W @ degC; 10 degC/W
安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-225 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin TO-225 Bulk
Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJE171G Bipolar - RF Transistor, PNP, 60 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 50 hFE
Win Source:
TRANS PNP 60V 3A TO225AA
频率 50 MHz
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 10℃/W RθJC
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 50
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
耗散功率Max 12500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE171G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE171 安森美 | 类似代替 | MJE171G和MJE171的区别 |
2N4918G 安森美 | 功能相似 | MJE171G和2N4918G的区别 |
NTE185 NTE Electronics | 功能相似 | MJE171G和NTE185的区别 |