MDD1901RH

MDD1901RH图片1
MDD1901RH中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 70 W

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 3090pF @30VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MDD1901RH
型号: MDD1901RH
制造商: MagnaChip 美格纳
描述:Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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