MJD32CRLG

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MJD32CRLG概述

PNP 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

PNP 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 100V 3A DPAK


立创商城:
MJD32CRLG


欧时:
ON Semiconductor MJD32CRLG , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 1 kHz, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 3A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 3A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJD32CRLG  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE


Win Source:
TRANS PNP 100V 3A DPAK


MJD32CRLG中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -3.00 A

极性 PNP

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

最大电流放大倍数hFE 50

额定功率Max 1.56 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1560 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD32CRLG
型号: MJD32CRLG
描述:PNP 功率晶体管,ON Semiconductor ### 标准 带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
替代型号MJD32CRLG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD32CRLG

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MJD32CG

安森美

完全替代

MJD32CRLG和MJD32CG的区别

MJD32CRL

安森美

完全替代

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MJD42CT4G

安森美

类似代替

MJD32CRLG和MJD42CT4G的区别

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