MJD112G

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MJD112G概述

NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

NPN 复合,On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD112G NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 DPAK TO-252封装


立创商城:
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor


贸泽:
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN


e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
ON Semi MJD112G NPN Darlington Transistor; 2 A 100 V HFE:1000; 3-Pin DPAK


安富利:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK Rail


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Rail


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000


DeviceMart:
TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK


MJD112G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 2.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电压 100 V

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

热阻 71.4℃/W RθJA

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 1000

最大电流放大倍数hFE 12000

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 12000

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 20 W

输入电压 5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Automotive, Signal Processing, Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing, Power Management, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJD112G
型号: MJD112G
描述:NPN 复合晶体管,On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别: 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
替代型号MJD112G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJD112G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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