NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
NPN 复合,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
欧时:
ON Semiconductor MJD112G NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=1000, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
2.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
贸泽:
达林顿晶体管 2A 100V Bipolar Power NPN
e络盟:
单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000 hFE
艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
ON Semi MJD112G NPN Darlington Transistor; 2 A 100 V HFE:1000; 3-Pin DPAK
安富利:
Trans Darlington NPN 100V 2A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 25 MHz, 1.75 W, 2 A, 12000
DeviceMart:
TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电压 100 V
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.75 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 71.4℃/W RθJA
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 12000
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 20 W
输入电压 5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 车用, 电源管理, 工业, Automotive, Signal Processing, Industrial, Power Management, Automotive, Signal Processing, Power Management, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD112G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD112T4G 安森美 | 类似代替 | MJD112G和MJD112T4G的区别 |
MJD112RLG 安森美 | 类似代替 | MJD112G和MJD112RLG的区别 |
NJVMJD112T4G 安森美 | 类似代替 | MJD112G和NJVMJD112T4G的区别 |