ON SEMICONDUCTOR MJE181G. 射频双极晶体管
- 双极 BJT - 单 NPN 50MHz 通孔 TO-225AA
立创商城:
MJE181G
得捷:
TRANS NPN 60V 3A TO126
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 60 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Allied Electronics:
TRANS NPN 60V 3A TO225AA
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-225 Bulk
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 3-Pin TO-225 Bulk
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 3A 12500mW 3-Pin3+Tab TO-225 Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJE181G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 60 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 5 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 3A TO225AA
频率 50 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 3.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
热阻 10℃/W RθJC
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 50 @100mA, 1V
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 12
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
耗散功率Max 12500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-126-3
长度 7.8 mm
高度 11.1 mm
封装 TO-126-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE181G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE181STU 安森美 | 类似代替 | MJE181G和MJE181STU的区别 |
MJE182 意法半导体 | 功能相似 | MJE181G和MJE182的区别 |
NTE184 NTE Electronics | 功能相似 | MJE181G和NTE184的区别 |