MMBT6517LT1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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MMBT6517LT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 500 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 350 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT6517LT1

型号： MMBT6517LT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：高压晶体管（ NPN硅） High Voltage TransistorNPN Silicon

替代型号MMBT6517LT1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBT6517LT1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBT6517LT1G 安森美	完全替代	MMBT6517LT1和MMBT6517LT1G的区别
MMBT6517LT3G 安森美	完全替代	MMBT6517LT1和MMBT6517LT3G的区别
MMBT6517LT3 安森美	完全替代	MMBT6517LT1和MMBT6517LT3的区别