MJD243T4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD243T4G概述

ON SEMICONDUCTOR MJD243T4G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, 4 A, 15 hFE 新

NPN 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJD243T4G中文资料参数规格

技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 4.00 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 12.5 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 180

额定功率Max 1.4 W

直流电流增益hFE 40

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 工业, 音频, Industrial, 车用, Automotive, Audio, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

MJD243T4G引脚图与封装图

在线购买MJD243T4G

型号： MJD243T4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJD243T4G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 100 V, 40 MHz, 12.5 W, 4 A, 15 hFE 新

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替代型号MJD243T4G

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