MPSW51G

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MPSW51G概述

一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors

Bipolar BJT Transistor PNP 30V 1A 50MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226


得捷:
TRANS PNP 30V 1A TO-92


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW 3-Pin TO-92 Box


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin TO-92 Bulk


MPSW51G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Box

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MPSW51G
型号: MPSW51G
描述:一瓦高电流晶体管 One Watt High Current Transistors
替代型号MPSW51G
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