互补功率晶体管 Complementary Power Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 8 A 85MHz 1.75 W 通孔 I-PAK
立创商城:
NPN 80V 8A
得捷:
TRANS NPN 80V 8A IPAK
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BIP DPAK NPN 8A 80V SL
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Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 16A 1750mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
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Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW Automotive 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 16A 1750mW 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD44H11-1G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 85 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
Win Source:
TRANS NPN 80V 8A IPAK
DeviceMart:
TRANS POWER NPN 8A 80V STR IPAK
频率 85 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 20 W
增益频宽积 85 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 60
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.73 mm
宽度 2.38 mm
高度 6.35 mm
封装 TO-251-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD44H11-1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD44H11-001 安森美 | 类似代替 | MJD44H11-1G和MJD44H11-001的区别 |
KSH44H11ITU 安森美 | 类似代替 | MJD44H11-1G和KSH44H11ITU的区别 |