40 W 40 V 表面贴装 瞬态电压抑制二极管 - SOT-23-3
40W 双齐纳瞬态电压抑制器,
SOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。
旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。
### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
欧时:
### 40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
得捷:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23-3
立创商城:
MMBZ27VALT3G
贸泽:
ESD Suppressors / TVS Diodes ZENER DIODE ZENERS 27V
艾睿:
With ON Semiconductor&s;s tvs MMBZ27VALT3G ESD protection device you will protect your circuits from electrostatic discharge while ensuring signal integrity. This device&s;s maximum clamping voltage is 40 V. This ESD diode has a maximum ESD protection device voltage of 16@HBM/0.4@MM kV. This ESD diode has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. It is made in a dual common anode|single configuration.
Allied Electronics:
MMBZ27VALT3G; Dual Uni-Directional TVS Diode; 40W; 3-Pin SOT-23
安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
ESD Suppressor TVS Uni-Dir/Bi-Dir 22V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 22V Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TVS DIODE 22VWM 40VC SOT23
击穿电压 25.65 V
通道数 2
耗散功率 40 W
钳位电压 40 V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 28.35 V
脉冲峰值功率 40 W
最小反向击穿电压 25.65 V
击穿电压 25.65 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 -55℃ ~ 150℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBZ27VALT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBZ27VALT1G 安森美 | 完全替代 | MMBZ27VALT3G和MMBZ27VALT1G的区别 |
MMBZ27VALT1 安森美 | 完全替代 | MMBZ27VALT3G和MMBZ27VALT1的区别 |
MMBZ27VCLT1G 安森美 | 类似代替 | MMBZ27VALT3G和MMBZ27VCLT1G的区别 |