ON SEMICONDUCTOR MJD32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
PNP 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
欧时:
ON Semiconductor MJD32CG , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 3 MHz, 3引脚 DPAK TO-252封装
立创商城:
MJD32CG
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 3A 100V 15W PNP
e络盟:
单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
Transistor; Bipolar; Si; PNP; Power; VCEO 100VDC; IC 3A; PD 15W; DPAK; VCBO 100VDC
Jameco:
BIP DPAK PNP 3A 100V
安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW Automotive 3-Pin2+Tab DPAK Tube
TME:
Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK
Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 1560mW 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD32CG Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
DeviceMart:
TRANS POWER PNP 3A 100V DPAK
Win Source:
TRANS PNP 100V 3A DPAK
频率 3 MHz
额定电压DC -100 V
额定电流 -3.00 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 15 W
增益频宽积 3 MHz
击穿电压集电极-发射极 100 V
热阻 8.3℃/W RθJC
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1560 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
MJD32CG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD32CRLG 安森美 | 完全替代 | MJD32CG和MJD32CRLG的区别 |
MJD32CRL 安森美 | 完全替代 | MJD32CG和MJD32CRL的区别 |
MJD42CT4G 安森美 | 类似代替 | MJD32CG和MJD42CT4G的区别 |