MJD 系列 100 V 2 A PNP 互补 达林顿 功率晶体管 - TO-252-3
- 双极 BJT - 单 PNP - 达林顿 25MHz 通孔 I-PAK
得捷:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
欧时:
ON Semiconductor, MJD117-1G
立创商城:
2.0 A,100 V,PNP 达林顿双极功率晶体管
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, -100 V, 25 MHz, 20 W, -2 A, 1000 hFE
艾睿:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin3+Tab DPAK-3 Tube
Jameco:
Transistor Darlington Pnp 100 Volt 2 Amp 3-Pin3+ Tab Dpak-SL Rail
Chip1Stop:
Trans Darlington PNP 100V 2A 3-Pin3+Tab DPAK-3 Rail
Verical:
Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin3+Tab DPAK-3 Tube
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJD117-1G Bipolar BJT Single Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 25 MHz, 20 W, -2 A, 12 hFE
Win Source:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
额定电压DC -100 V
额定电流 -2.00 A
无卤素状态 Halogen Free
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 20 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数hFE 12000
额定功率Max 1.75 W
直流电流增益hFE 12
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MJD117-1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD117-001 安森美 | 类似代替 | MJD117-1G和MJD117-001的区别 |
KSH117ITU 飞兆/仙童 | 功能相似 | MJD117-1G和KSH117ITU的区别 |
MJD117-001G 安森美 | 功能相似 | MJD117-1G和MJD117-001G的区别 |