MJD32C-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJD32C-TP概述

DPAK PNP 100V 3A

Bipolar BJT Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.25W Surface Mount D-Pak

得捷:
TRANS PNP 100V 3A DPAK

艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

DeviceMart:
TRANS PNP 100V 3A DPAK

MJD32C-TP中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1250 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 1.25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MJD32C-TP

型号： MJD32C-TP

描述：DPAK PNP 100V 3A

替代型号MJD32C-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJD32C-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
MJD32CG 安森美	功能相似	MJD32C-TP和MJD32CG的区别
MJD42CT4G 安森美	功能相似	MJD32C-TP和MJD42CT4G的区别
MJD32CT4G 安森美	功能相似	MJD32C-TP和MJD32CT4G的区别