功率 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
功率 NPN ， Semiconductor
得捷:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
欧时:
Fairchild Semiconductor MJD31CITU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:10, 3引脚 IPAK TO-251封装
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Sil
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Win Source:
TRANS NPN 100V 3A IPAK
频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 3.00 A
极性 NPN
耗散功率 1.56 W
集电极击穿电压 100 V
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V
额定功率Max 1.56 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 15 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99