MJB41CT4G

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MJB41CT4G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJB41CT4G.  功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK

NPN 功率,

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS NPN 100V 6A D2PAK


立创商城:
MJB41CT4G


欧时:
### NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 6A 100V 65W NPN


e络盟:
双极晶体管阵列, AEC-Q100, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 15 hFE, TO-263 D2PAK


艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Allied Electronics:
ON Semi MJB41CT4G NPN Bipolar Transistor; 6 A; 100 V; 3-Pin D2PAK


安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJB41CT4G  Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 100 V, 65 W, 6 A, 30 hFE, TO-263


DeviceMart:
TRANS PWR NPN 6A 100V D2PAK-3


MJB41CT4G中文资料参数规格
技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC 100 V

额定电流 6.00 A

针脚数 3

极性 NPN, PNP

耗散功率 65 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJB41CT4G引脚图与封装图
MJB41CT4G引脚图
MJB41CT4G封装焊盘图
在线购买MJB41CT4G
型号: MJB41CT4G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJB41CT4G.  功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK
替代型号MJB41CT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MJB41CT4G

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