
















ON SEMICONDUCTOR MJB41CT4G. 功率晶体管, NPN, 100V, D2-PAK
NPN 功率,
### 标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
得捷:
TRANS NPN 100V 6A D2PAK
立创商城:
MJB41CT4G
欧时:
### NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 6A 100V 65W NPN
e络盟:
双极晶体管阵列, AEC-Q100, NPN, 100 V, 65 W, 6 A, 15 hFE, TO-263 D2PAK
艾睿:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Allied Electronics:
ON Semi MJB41CT4G NPN Bipolar Transistor; 6 A; 100 V; 3-Pin D2PAK
安富利:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 100V 6A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJB41CT4G Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 100 V, 65 W, 6 A, 30 hFE, TO-263
DeviceMart:
TRANS PWR NPN 6A 100V D2PAK-3
频率 3 MHz
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
针脚数 3
极性 NPN, PNP
耗散功率 65 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 6A
最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJB41CT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJB41CG 安森美 | 类似代替 | MJB41CT4G和MJB41CG的区别 |
MJD41CRLG 安森美 | 类似代替 | MJB41CT4G和MJD41CRLG的区别 |
NJVMJB41CT4G 安森美 | 类似代替 | MJB41CT4G和NJVMJB41CT4G的区别 |