MJB42CT4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MJB42CT4G概述

ON SEMICONDUCTOR MJB42CT4G 单晶体管双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE

PNP 功率，

### 标准

带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

MJB42CT4G中文资料参数规格

技术参数

频率 3 MHz

额定电压DC -100 V

额定电流 -6.00 A

针脚数 3

极性 NPN, PNP

耗散功率 65 W

增益频宽积 3 MHz

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 15 @3A, 4V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 15

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.29 mm

宽度 11.05 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MJB42CT4G引脚图与封装图

在线购买MJB42CT4G

型号： MJB42CT4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR MJB42CT4G 单晶体管双极, PNP, -100 V, 3 MHz, 65 W, -6 A, 15 hFE

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替代型号MJB42CT4G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MJB42CT4G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
NJVMJB42CT4G 安森美	类似代替	MJB42CT4G和NJVMJB42CT4G的区别
MJB42CG 安森美	类似代替	MJB42CT4G和MJB42CG的区别
BCP53-10T1G 安森美	功能相似	MJB42CT4G和BCP53-10T1G的区别