MJE5730G

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MJE5730G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJE5730G  双极晶体管

- 双极 BJT - 单 PNP 10MHz 通孔 TO-220AB


欧时:
ON Semiconductor, MJE5730G


得捷:
TRANS PNP 300V 1A TO220


立创商城:
MJE5730G


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 300 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 300 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE


MJE5730G中文资料参数规格
技术参数

频率 10 MHz

额定电压DC -300 V

额定电流 -1.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 40 W

增益频宽积 10 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V

额定功率Max 40 W

直流电流增益hFE 10

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 40000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.53 mm

宽度 4.83 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: MJE5730G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJE5730G  双极晶体管
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