ON SEMICONDUCTOR MJE5730G 双极晶体管
- 双极 BJT - 单 PNP 10MHz 通孔 TO-220AB
欧时:
ON Semiconductor, MJE5730G
得捷:
TRANS PNP 300V 1A TO220
立创商城:
MJE5730G
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 1A 300V 40W PNP
e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 300 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE
艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans GP BJT PNP 300V 1A 40000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 300 V, 10 MHz, 40 W, -1 A, 10 hFE
频率 10 MHz
额定电压DC -300 V
额定电流 -1.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 40 W
增益频宽积 10 MHz
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 30 @300mA, 10V
额定功率Max 40 W
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 40000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.53 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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