MJB45H11G

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MJB45H11G概述

ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK

- 双极 BJT - 单 PNP 40MHz 表面贴装型 D²PAK


欧时:
ON Semiconductor, MJB45H11G


得捷:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK


立创商城:
MJB45H11G


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK


艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Rail


Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Rail


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 60 hFE


DeviceMart:
TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK


Win Source:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK / Bipolar BJT Transistor PNP 80 V 10 A 40MHz 2 W Surface Mount D²PAK


MJB45H11G中文资料参数规格
技术参数

频率 40 MHz

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -10.0 A

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V

额定功率Max 2 W

直流电流增益hFE 60

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MJB45H11G
型号: MJB45H11G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MJB45H11G.  功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK
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MJB45H11

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