








ON SEMICONDUCTOR MJB45H11G. 功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK
- 双极 BJT - 单 PNP 40MHz 表面贴装型 D²PAK
欧时:
ON Semiconductor, MJB45H11G
得捷:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK
立创商城:
MJB45H11G
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR MJB45H11G. 功率晶体管, PNP, -80V, D2-PAK
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
Verical:
Trans GP BJT PNP 80V 10A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Rail
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MJB45H11G Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, PNP, 80 V, 40 MHz, 50 W, -10 A, 60 hFE
DeviceMart:
TRANS PWR PNP 10A 80V D2PAK
Win Source:
TRANS PNP 80V 10A D2PAK / Bipolar BJT Transistor PNP 80 V 10 A 40MHz 2 W Surface Mount D²PAK
频率 40 MHz
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -10.0 A
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 40 @4A, 1V
额定功率Max 2 W
直流电流增益hFE 60
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJB45H11G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJB45H11T4 安森美 | 完全替代 | MJB45H11G和MJB45H11T4的区别 |
MJB45H11T4G 安森美 | 类似代替 | MJB45H11G和MJB45H11T4G的区别 |
MJB45H11 安森美 | 类似代替 | MJB45H11G和MJB45H11的区别 |