MJD253T4概述
互补硅塑料功率晶体管 Complementary Silicon Plastic Power Transistor
- 双极 BJT - 单 PNP 100 V 4 A 40MHz 12.5 W 表面贴装型 DPAK
得捷:
TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK
艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
MJD253T4中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -100 V
额定电流 -4.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 40 @200mA, 1V
额定功率Max 1.4 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
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替代型号MJD253T4
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJD253T4 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJD253T4G 安森美 | 类似代替 | MJD253T4和MJD253T4G的区别 |