MMF60R290PTH

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MMF60R290PTH概述

SJ MOSFET这些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超级接线盒技术提供低接通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术可使其高效。低 EMI 具有高速切换和低接通电阻,提供低功耗 ### MOSFET 晶体管,MagnaChip

超级接线盒 SJ MOSFET

这些 MOSFET 使用 的超级接线盒技术提供低接通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术可使其高效。

低 EMI

具有高速切换和低接通电阻,提供低功耗

### MOSFET ,MagnaChip


欧时:
### 超级接线盒 SJ MOSFET这些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超级接线盒技术提供低接通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术可使其高效。低 EMI 具有高速切换和低接通电阻,提供低功耗 ### MOSFET 晶体管,MagnaChip


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube


MMF60R290PTH中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 44 ns

输入电容Ciss 1102pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.71 mm

宽度 4.93 mm

高度 16.13 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMF60R290PTH
型号: MMF60R290PTH
描述:SJ MOSFET 这些 MOSFET 使用 MagnaChip 的超级接线盒技术提供低接通电阻和栅极电荷。 通过采用优化的电荷耦合技术可使其高效。 低 EMI 具有高速切换和低接通电阻,提供低功耗 ### MOSFET 晶体管,MagnaChip

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