MDF18N50BTH参数规格_中文资料_数据手册PDF

MDF18N50BTH概述

HV MOSFET高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

高电压 HV MOSFET

高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。

欧时:
### 高电压 HV MOSFET高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin3+Tab TO-220F Tube

MDF18N50BTH中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 2490pF @25VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 37 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.71 mm

宽度 4.93 mm

高度 16.13 mm

封装 TO-220

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买MDF18N50BTH

型号： MDF18N50BTH

制造商： MagnaChip 美格纳

描述：HV MOSFET 高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。 ### MOSFET 晶体管，MagnaChip