MDP15N60GTH参数规格_中文资料_数据手册PDF

MDP15N60GTH概述

HV MOSFET高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

高电压 HV MOSFET

高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。

欧时:
MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDP15N60GTH, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

MDP15N60GTH中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 15A

上升时间 86 ns

输入电容Ciss 2311pF @25VVds

下降时间 47 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 231.4 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： MDP15N60GTH

制造商： MagnaChip 美格纳

描述：HV MOSFET 高电压，N 通道 MOSFET，带低通态电阻和高切换性能。 ### MOSFET 晶体管，MagnaChip