MDP1933TH参数规格_中文资料_数据手册PDF

MDP1933TH概述

LV MOSFET这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

低电压 LV MOSFET

这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

欧时:
### 低电压 LV MOSFET这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 105A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

MDP1933TH中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 157 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 105A

上升时间 32.7 ns

输入电容Ciss 3841pF @40VVds

下降时间 15.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 157 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买MDP1933TH

型号： MDP1933TH

制造商： MagnaChip 美格纳

描述：LV MOSFET 这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。 ### MOSFET 晶体管，MagnaChip