MBR30H100MFST3G

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MBR30H100MFST3G概述

MBR30H100MFS: 30 A,100 V 肖特基二极管,采用 SO-8FL 封装

Diode Schottky 100V 30A Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL


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MBR30H100MFST3G


得捷:
DIODE SCHOTTKY 100V 30A 5DFN


艾睿:
Diode Switching 100V 30A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


安富利:
Diode Schottky 100V 30A 4-Pin DFN T/R


MBR30H100MFST3G中文资料参数规格
技术参数

正向电压 900mV @30A

正向电流Max 30 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBR30H100MFST3G
型号: MBR30H100MFST3G
描述:MBR30H100MFS: 30 A,100 V 肖特基二极管,采用 SO-8FL 封装
替代型号MBR30H100MFST3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MBR30H100MFST3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

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NRVB30H100MFST1G

安森美

完全替代

MBR30H100MFST3G和NRVB30H100MFST1G的区别

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