ON SEMICONDUCTOR MJE5850G 单晶体管 双极, PNP, -300 V, 80 W, -8 A, 15 hFE
- 双极 BJT - 单 PNP - 通孔 TO-220AB
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ON Semiconductor, MJE5850G
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PNP 300V 8A
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TRANS PNP 300V 8A TO220
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 8A 300V 80W PNP
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单晶体管 双极, PNP, -300 V, 80 W, -8 A, 15 hFE
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Trans GP BJT PNP 300V 8A 80000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
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TRANSISTOR; PNP; 300 V; 350 V; 6 V; 8 A; 4; 80 W; 1.25 DEGC/W; 0.5 MA MAX.; 5
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# ON SEMICONDUCTOR MJE5850G Bipolar BJT Single Transistor, PNP, -300 V, 80 W, -8 A, 15
额定电压DC -300 V
额定电流 -8.00 A
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 300 V
热阻 1.25℃/W RθJC
集电极最大允许电流 8A
最小电流放大倍数hFE 5 @5A, 5V
额定功率Max 80 W
直流电流增益hFE 15
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.53 mm
宽度 4.83 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 工业, Industrial, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MJE5850G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MJE5850 安森美 | 类似代替 | MJE5850G和MJE5850的区别 |