MT47H128M4CB-5E:B

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MT47H128M4CB-5E:B概述

IC SDRAM 512Mbit 200MHz 60FBGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 128M x 4 Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA


得捷:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 128Mx4 1.8V 60-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 128Mx4 1.8V 60-Pin FBGA Tray


MT47H128M4CB-5E:B中文资料参数规格
技术参数

时钟频率 5.00 GHz

存取时间 5.00 ns

内存容量 512000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT47H128M4CB-5E:B
型号: MT47H128M4CB-5E:B
制造商: Micron 镁光
描述:IC SDRAM 512Mbit 200MHz 60FBGA

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