IXYS SEMICONDUCTOR MII100-12A3 单晶体管, IGBT, 135 A, 2.2 V, 560 W, 1.2 kV, Module, 7 引脚
IGBT 模块，IXYS
欧时:
1200V 135A IGBT Dual 34x94mm Package NPT
得捷:
IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
e络盟:
单晶体管, IGBT, 135 A, 2.2 V, 560 W, 1.2 kV, Module, 7 引脚
艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 135A 7-Pin Y4-M5
Verical:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7-Pin Y4-M5
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR MII100-12A3 IGBT Single Transistor, 135 A, 2.2 V, 560 W, 1.2 kV, Module, 7
额定电压DC 1.20 kV
额定电流 135 A
针脚数 7
极性 N-Channel
耗散功率 560 W
上升时间 50.0 ns
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 5.5nF @25V
额定功率Max 560 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 560000 mW
安装方式 Screw
引脚数 7
封装 Y4-M5
长度 94 mm
宽度 34 mm
高度 30 mm
封装 Y4-M5
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Power Management, 医用, 电机驱动与控制, Medical, Alternative Energy, HVAC, Maintenance & Repair, 替代能源, Consumer Electronics, 维护与修理, 电源管理, Motor Drive & Control, 消费电子产品
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15