TSSOP N-CH 30V 0.125A
MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V 125mA 200mW 表面贴装型 6-TSSOP
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.125A 6-Pin TSSOP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 0.125A 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
DeviceMart:
MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP
极性 Dual N-Channel
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 125 mA
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 18.5pF @5VVds
额定功率Max 200 mW
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-323-6
封装 SOT-323-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
PMGD8000LN,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
PMGD8000LN 恩智浦 | 完全替代 | PMGD8000LN,115和PMGD8000LN的区别 |