PMV170UN,215

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PMV170UN,215中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 325mW Ta, 1.14W Tc

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 83pF @10VVds

下降时间 8 ns

耗散功率Max 325mW Ta, 1.14W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMV170UN,215
型号: PMV170UN,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3Pin TO-236AB T/R

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