PMV185XN,215概述
TO-236AB N-CH 30V 1.1A
N-Channel 30V 1.1A Ta 325mW Ta, 1.275W Tc Surface Mount TO-236AB SOT23
得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO236AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.1A 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
PMV185XN,215中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 325mW Ta, 1.275W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.1A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 76pF @15VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 325mW Ta, 1.275W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free