P6SMBJ180

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P6SMBJ180概述

硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors

258.3V Clamp 2.5A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ


得捷:
TVS DIODE 154VWM 258.3VC DO214AA


贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 146Vso 162Vbr 2.3A


P6SMBJ180中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 180 V

工作电压 154 V

额定功率 600 W

击穿电压 198 V

钳位电压 258.3 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 162 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape, Bulk

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

P6SMBJ180引脚图与封装图
P6SMBJ180引脚图
P6SMBJ180封装图
P6SMBJ180封装焊盘图
在线购买P6SMBJ180
型号: P6SMBJ180
描述:硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors
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