PESD5V0L1USF-H250,

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PESD5V0L1USF-H250,概述

DIODE ESD PROT LOW CAP SOD962

10.5V 夹子 1.2A(8/20µs) Ipp TVS - 表面贴装型 2-DSN(0.60x0.30)


得捷:
TVS DIODE 5VWM 10.5VC 2DSN


贸泽:
NXP Semiconductors PESD5V0L1USF-H250/SOD962/REELP


艾睿:
TVS DIODE 5VWM 10.5VC SOD962


PESD5V0L1USF-H250,中文资料参数规格
技术参数

脉冲峰值功率 11 W

最小反向击穿电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XFDFN-2

外形尺寸

封装 XFDFN-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PESD5V0L1USF-H250,
型号: PESD5V0L1USF-H250,
制造商: NXP 恩智浦
描述:DIODE ESD PROT LOW CAP SOD962
替代型号PESD5V0L1USF-H250,
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PESD5V0L1USF-H250,

NXP 恩智浦

当前型号

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PESD5V0L1USF,315

恩智浦

完全替代

PESD5V0L1USF-H250,和PESD5V0L1USF,315的区别

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