PSMN2R6-60PS概述
NXP PSMN2R6-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 60 V, 0.00197 ohm, 10 V, 3 V
The is a N-channel standard level MOSFET designed using TrenchMOS® technology. The product design and manufacture has been optimized for use in battery operated power tools.
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- High efficiency due to low switching and conduction losses
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- Robust construction for demanding applications
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- Standard level gate
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- -55 to 175°C Junction temperature range
PSMN2R6-60PS中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.00197 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 326 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 150A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 7629pF @25VVds
下降时间 58 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 326000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Unknown
制造应用 Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买PSMN2R6-60PS
型号： PSMN2R6-60PS
制造商：
NXP
恩智浦
描述：NXP PSMN2R6-60PS 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 A, 60 V, 0.00197 ohm, 10 V, 3 V